FP50R12KT4G ماژول IGBT اینفینیون 1200 ولت 50 آمپر
امتیازکاربران
کپی لینک
واتساپ
تلگرام
ایتا
بله
FP50R12KT4G ماژول IGBT اینفینیون 1200 ولت 50 آمپر
امتیازکاربران
- تضمین اصالت قطعات
- ارسال سریع
- مشاوره فنی قبل از خرید
ثبت سفارش از طریق پیامرسانها
تماس با فروشگاه
معرفی
ماژول FP50R12KT4G ساخت Infineon Technologies یک ماژول قدرت یکپارچه (PIM) سهفاز در پکیج EconoPIM™3 است که بر پایه تکنولوژی fast Trench/Fieldstop IGBT4 و دیود Emitter Controlled 4 طراحی شده و سنسور دمای NTC داخلی دارد. این ماژول با ولتاژ کار ۱۲۰۰ ولت و جریان نامی ۵۰ آمپر، یکسوساز ورودی، اینورتر سهفاز IGBT، و بریک چاپر (ترمز دینامیکی) را در یک بستهٔ یکپارچه ارائه میدهد.
این قطعه نسخهٔ بهروزشدهٔ نسل IGBT4 از خانوادهٔ FP50R12KT3 است؛ با همان جریان نامی ۵۰ آمپر و پکیج، اما تلفات سوییچینگ کمتر و ولتاژ اشباع با ضریب دمایی مثبت.
ویژگیهای کلیدی
- ولتاژ: 1200 ولت
- جریان نامی کلکتور: ۵۰ آمپر (در دمای کیس ۹۵°C) / پیک ۱۰۰ آمپر
- تکنولوژی: fast Trench IGBT4 با تلفات سوییچینگ پایین و V_CEsat با ضریب دمایی مثبت
- پیکربندی کامل PIM: یکسوساز ورودی + اینورتر + بریک چاپر + NTC
- پکیج: EconoPIM™3، صفحه پایهٔ مسی، اتصال لحیمی
- قابلیت سیکل حرارتی و توان بالا
- وزن: ۳۰۰ گرم
توضیحات
FP50R12KT4G یک ماژول قدرت یکپارچه (PIM) از سری EconoPIM™3 ساخت Infineon است که در دیتاشیت نهایی (Rev. 1.10، اکتبر ۲۰۲۴) با وضعیت Final منتشر شده. ساختار داخلی آن شامل یکسوساز ورودی، اینورتر سهفاز کامل با تکنولوژی fast Trench/Fieldstop IGBT4، یک واحد بریک چاپر، و سنسور NTC است.
ولتاژ اشباع این ماژول (V_CEsat=۱.۸۵ ولت در حالت Typical) دارای ضریب دمایی مثبت است که برای کارکرد موازی چند ماژول و توزیع یکنواخت جریان اهمیت دارد. مقاومت حرارتی پایین (R_thJC=۰.۵۴۰ کلوین بر وات) امکان مدیریت حرارتی مؤثر را فراهم میکند.
ویژگیها و مزایا
- تکنولوژی fast Trench IGBT4: تلفات سوییچینگ کم و ولتاژ اشباع پایین.
- V_CEsat با ضریب دمایی مثبت: مناسب برای کارکرد موازی.
- پیکربندی PIM کامل: یکسوساز + اینورتر + بریک چاپر + NTC.
- قابلیت سیکل حرارتی و توان بالا.
- صفحه پایهٔ مسی: پخش حرارت بهینه.
- اندوکتانس پراکندهٔ پایین (۴۰ نانوهانری).
کاربردها
- اینورترهای کمکی صنعتی
- درایو موتور صنعتی (VFD)
- سروو درایو
جدول مشخصات فنی
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| Part Number | FP50R12KT4G |
| سازنده | Infineon Technologies |
| نوع قطعه | ماژول قدرت یکپارچه IGBT (PIM) |
| سری | EconoPIM™3 |
| تکنولوژی IGBT | Fast Trench/Fieldstop IGBT4 |
| نوع دیود | Emitter Controlled 4 |
| پیکربندی | یکسوساز ورودی سهفاز + اینورتر IGBT + بریک چاپر + سنسور NTC |
| ولتاژ کلکتور-امیتر (V_CES) | 1200 ولت |
| جریان دائم کلکتور اینورتر (I_C DC) | 50 آمپر |
| جریان پیک کلکتور اینورتر (I_CRM) | 100 آمپر |
| ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (V_CEsat) | 1.85 ولت Typ. / 2.15 ولت Max. |
| V_CEsat در 150°C | 2.25 ولت |
| ولتاژ آستانه گیت (V_GEth) | 5.80 ولت |
| بار گیت (Q_G) | 0.38 میکروکولن |
| مقاومت داخلی گیت (R_Gint) | 4 اهم |
| جریان تحمل اتصال کوتاه (I_SC) | 180 آمپر |
| مقاومت حرارتی ژانکشن به کیس IGBT (R_thJC) | 0.540 K/W |
| مقاومت حرارتی کیس به هیتسینک IGBT (R_thCH) | 0.135 K/W |
| ولتاژ مستقیم دیود فلایویل (V_F) | 1.70 ولت Typ. |
| ولتاژ معکوس تکرارشونده یکسوساز (V_RRM) | 1200 ولت |
| سنسور دما | NTC داخلی |
| نوع پکیج | EconoPIM™3 |
| جنس صفحه پایه | مس (Cu) |
| نوع ایزولاسیون داخلی | Al₂O₃، Class 1، IEC 61140 |
| ولتاژ تست ایزولاسیون (V_ISOL) | 2.5 کیلوولت RMS، 50Hz، 1 دقیقه |
| فاصله خزشی | 10.0 میلیمتر |
| فاصله هوایی | 7.5 میلیمتر |
| عدد مقایسهای ردیابی (CTI) | بیشتر از 200 |
| اندوکتانس پراکنده (L_sCE) | 40 نانوهانری |
| مقاومت اتصالات ماژول (R_AA'+CC') | 3 میلیاهم |
| مقاومت اتصالات ماژول (R_CC'+EE') | 4 میلیاهم |
| تکنولوژی اتصال | لحیمی (Solder Contact) |
| دمای عملکرد سوییچینگ (Tvj op) | تا 150 درجه سانتیگراد |
| دمای انبارداری (Tstg) | 40- تا 125 درجه سانتیگراد |
| گشتاور نصب | 3 تا 6 نیوتنمتر، پیچ M5 |
نمای شماتیک
قطعات جایگزین برای این محصول
سوالات متداول
از نظر پکیج و رتبهٔ جریان مشابه است، اما تکنولوژی IGBT4 مشخصات سوییچینگ متفاوتی دارد (مقاومت داخلی گیت ۴ اهم در برابر ۴.۰ اهم در نسخهٔ T3 با شرایط تست متفاوت). برای ارتقای ایمن، مدار گیتدرایور و فرکانس کاری باید بازبینی شود.
این یک ویژگی طراحیشده در تکنولوژی IGBT4 است که بهطور خاص برای کارکرد موازی چند ماژول مفید است؛ با افزایش دما در یک ماژول، مقاومتش افزایش یافته و جریان بیشتری به ماژولهای خنکتر منتقل میشود، که توزیع جریان را متعادل نگه میدارد.
نسخهٔ B15 یک واریانت مکانیکی است که طبق نامگذاری Infineon برای سازگاری با Footprint ماژولهای قدیمیتر IGBT3 طراحی شده؛ نسخهٔ استاندارد ممکن است Footprint متفاوتی داشته باشد.
نکات تعمیراتی و تجربیات کاربردی
خرابیهای رایج
شایعترین خرابی این ماژول، اتصال کوتاه داخلی کلکتور-امیتر در یک یا چند سوییچ IGBT بخش اینورتر یا بریک چاپر است که معمولاً ناشی از عبور جریان فراتر از حد تحمل اتصال کوتاه (I_SC=180A)، خرابی مدار Gate Drive، یا تخلیهٔ حرارتی نامناسب است.
روشهای تشخیص خرابی
- با مولتیمتر (حالت تست دیود): بین کلکتور و امیتر هر IGBT اینورتر، اتصال دیود آنتیپارالل با قطبیت مشخص باید دیده شود؛ اتصال کوتاه دوطرفه نشانه خرابی است.
- بررسی دیود هرزگرد: افت ولتاژ فوروارد طبیعی حدود ۱.۷۰ ولت (طبق دیتاشیت، Tvj=25°C) است.
- بررسی بخش یکسوساز و بریک چاپر بهصورت جداگانه.
- سنسور NTC: عملکرد سنسور باید پس از هر تعویض با مقدار مرجع مقایسه شود.
نکات مهم هنگام تعویض
- مقاومت داخلی گیت این ماژول ۴ اهم است و شرایط تست دیتاشیت بر پایهٔ R_Gon=۱۵ اهم تعریف شده؛ مقدار R_G خارجی باید با توجه به این عدد و نمودارهای دیتاشیت انتخاب شود.
- این ماژول نسل IGBT4 است؛ نباید بدون بازبینی مدار گیت درایور مستقیماً جای FP50R12KT3 (نسل IGBT3) قرار گیرد، چون مشخصات سوییچینگ متفاوت است.
- صفحه پایهٔ مسی دارد؛ سطح تماس تمیز و خمیر حرارتی مناسب الزامی است.
اشتباهات رایج تعمیرکاران
- فرض اینکه چون رتبهٔ جریان و پکیج مشابه FP50R12KT3 است، میتوان بدون تغییر مدار گیتدرایور جایگزین کرد.
- تعویض ماژول بدون بررسی علت اصلی خرابی (Gate Drive یا حفاظت Overcurrent).
- استفاده از خمیر حرارتی نامناسب یا گشتاور نصب نادرست.
محدودیتها و نکات مهم استفاده
- اجبار به استفاده از هیتسینک مناسب برای جریان نامی ۵۰ آمپر.
- اندوکتانس پراکندهٔ پایین (۴۰ نانوهانری): طراحی باسبار باید این مزیت سوییچینگ سریع را حفظ کند.
- رعایت Dead-Time بین سوییچهای هر شاخه.
- حساسیت به ESD.
- Baseplate مشترک بین یکسوساز، اینورتر و بریک چاپر در پکیج PIM.
جمعبندی
ماژول IGBT اینفینیون FP50R12KT4G یک راه حل کامل و به روز برای درایوهای AC سه فاز با توان متوسط است. تکنولوژی IGBT4 با ولتاژ اشباع دارای ضریب دمایی مثبت، آن را برای کارکرد موازی و طراحیهای با راندمان بالا مناسب میکند. این ماژول جایگزین نسل جدید برای FP50R12KT3 محسوب میشود؛ اما ارتقا باید با بازبینی مدار گیت درایور همراه باشد.
نظرات کاربران
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
Fuji Electric
Semikron
Mitsubishi Electric
Vincotech
Toshiba
Fairchild Semiconductor
Sanken Electric
IXYS
Sanyo
Starpower
LS Electric
