FP25R12KT3 ماژول IGBT اینفینیون 1200 ولت 25 آمپر
امتیازکاربران
کپی لینک
واتساپ
تلگرام
ایتا
بله
FP25R12KT3 ماژول IGBT اینفینیون 1200 ولت 25 آمپر
امتیازکاربران
- تضمین اصالت قطعات
- ارسال سریع
- مشاوره فنی قبل از خرید
ثبت سفارش از طریق پیامرسانها
تماس با فروشگاه
معرفی
ماژول FP25R12KT3 ساخت Infineon Technologies یک ماژول قدرت یکپارچه (PIM) سهفاز در پکیج EconoPIM™3 است که بر پایه تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT3 (T3) طراحی شده. این ماژول با ولتاژ کار ۱۲۰۰ ولت و جریان نامی ۲۵ آمپر، یکسوساز ورودی سهفاز، اینورتر سهفاز IGBT، و بریک چاپر (ترمز دینامیکی) را در یک بستهٔ یکپارچه ارائه میدهد.
ویژگیهای کلیدی
- ولتاژ: 1200 ولت Collector Emitter
- جریان نامی کلکتور: ۲۵ آمپر (در دمای کیس ۸۰°C) تا ۴۰ آمپر در دمای کیس ۲۵°C
- تکنولوژی: fast TRENCHSTOP™ IGBT3 (T3) با تلفات سوییچینگ پایین
- پیکربندی کامل PIM: یکسوساز ورودی + اینورتر + بریک چاپر
- پکیج: EconoPIM™3
- توان اتلافی کل: ۱۵۵ وات
- جریان تحمل اتصال کوتاه: ۱۰۰ آمپر
توضیحات
FP25R12KT3v یک ماژول قدرت یکپارچه (PIM) از سری EconoPIM™3 ساخت Infineon است که بر پایهٔ تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT3 (T3) ساخته شده. ساختار داخلی شامل یکسوساز ورودی سهفاز (دیودهای ۱۶۰۰ ولت)، اینورتر سهفاز کامل IGBT، و یک واحد بریک چاپر است.
تفاوت مقاومت گیت تستشده در بخشهای مختلف این ماژول (۳۶ اهم برای اینورتر، ۷۵ اهم برای بریک چاپر) نشاندهندهٔ تفاوت در رتبهٔ جریان و بهینهسازی سوییچینگ هر بخش است؛ این نکته باید در طراحی مدار گیتدرایور جداگانه لحاظ شود.
ویژگیها و مزایا
- تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT3: سوییچینگ سریع و تلفات کم.
- پیکربندی PIM کامل: یکسوساز + اینورتر + بریک چاپر.
- طراحی فشرده و مقرونبهصرفه برای توان پایینتر در همان خانواده.
- قابلیت اطمینان صنعتی.
کاربردها
- درایو موتور صنعتی (VFD)
- اینورترهای صنعتی توان پایینتر
جدول مشخصات فنی
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| Part Number | FP25R12KT3 |
| سازنده | Infineon Technologies |
| نوع قطعه | ماژول قدرت یکپارچه IGBT (PIM) |
| سری | EconoPIM™3 |
| تکنولوژی IGBT | fast TRENCHSTOP™ IGBT3 (T3) |
| پیکربندی | یکسوساز ورودی سهفاز + اینورتر IGBT + بریک چاپر |
| ولتاژ کلکتور امیتر (V_CES) | 1200 ولت |
| جریان نامی کلکتور اینورتر (I_C nom) | 25 آمپر (Tc=80°C، Tvj max=150°C) |
| جریان کلکتور اینورتر (I_C) | 40 آمپر (Tc=25°C) |
| جریان پیک کلکتور اینورتر (I_CRM) | 50 آمپر (tp=1ms) |
| توان اتلافی کل اینورتر (P_tot) | 155 وات (Tc=25°C) |
| ولتاژ اشباع کلکتور امیتر V_CEsat (Typ. / Max.) | 1.70 ولت (Typ.) / 2.15 ولت (Max.) — I_C=25A، V_GE=15V |
| V_CEsat در 125°C | 1.90 ولت (Typ.) |
| ولتاژ آستانه گیت (V_GEth، Typ.) | 5.8 ولت |
| بار گیت (Q_G) | 0.24 میکروکولن |
| مقاومت داخلی گیت (R_Gint) | 8.0 اهم |
| جریان تحمل اتصال کوتاه اینورتر (I_SC) | 100 آمپر V_GE≤15V، V_CC=900V، tp≤10µs، Tvj=125°C |
| مقاومت حرارتی ژانکشن به کیس IGBT (R_thJC) | 0.80 K/W (بهازای هر IGBT) |
| ولتاژ مستقیم دیود فلایویل V_F (Typ.) | 1.65 ولت (I_F=25A، Tvj=25/125°C) |
| مقاومت حرارتی دیود فلایویل (R_thJC) | 1.35 K/W (بهازای هر دیود) |
| ولتاژ معکوس یکسوساز ورودی (V_RRM) | 1600 ولت |
| حداکثر جریان مؤثر یکسوساز (I_FRMSM) | 50 آمپر (Tc=80°C) |
| ولتاژ فوروارد دیود یکسوساز (V_F، Typ.) | 1.05 ولت (Tvj=150°C، I_F=25A) |
| مقاومت حرارتی یکسوساز (R_thJC) | 1.00 K/W (بهازای هر دیود) |
| جریان نامی بریک چاپر (I_C nom) | 15 آمپر (Tc=80°C) |
| ولتاژ V_CEsat بریک چاپر (Typ.) | 1.70 ولت (I_C=15A، Tvj=25°C) |
| جریان تحمل اتصال کوتاه بریک چاپر (I_SC) | 60 آمپر |
| نوع پکیج | EconoPIM™3 |
| تکنولوژی اتصال | لحیمی (Solder Contact) |
| دمای عملکرد سوییچینگ (Tvj op) | 40- تا 125 درجه سانتیگراد |
نمای شماتیک
قطعات جایگزین برای این محصول
سوالات متداول
طبق دیتاشیت رسمی Infineon، این ماژول قطعاً یک PIM کامل با یکسوساز ورودی سهفاز و بریک چاپر یکپارچه است — نه یک Six-Pack ساده. برخی منابع توزیعکنندهٔ غیررسمی این قطعه را بهاشتباه «Six-Pack» معرفی کردهاند؛ برای تأیید، سیمکشی واقعی برد و دیتاشیت رسمی باید مرجع باشد.
این تفاوت طبیعی است؛ بخش بریک چاپر رتبهٔ جریان پایینتری دارد (۱۵ در برابر ۲۵ آمپر اینورتر) و معمولاً نیازی به سوییچینگ به همان سرعت اینورتر ندارد، بنابراین با مقاومت گیت بالاتر تست شده است.
هر سه از یک خانواده، پکیج (EconoPIM™3) و تکنولوژی (T3) هستند؛ تفاوت اصلی فقط رتبهٔ جریان است (۲۵، ۴۰ و ۵۰ آمپر). انتخاب باید بر اساس نیاز جریان واقعی مدار انجام شود.
نکات تعمیراتی و تجربیات کاربردی
خرابیهای رایج
شایعترین خرابی این ماژول، اتصال کوتاه داخلی کلکتور-امیتر در سوییچهای IGBT بخش اینورتر یا بریک چاپر است که معمولاً ناشی از عبور جریان فراتر از تحمل اتصال کوتاه (I_SC=100A برای اینورتر، 60A برای بریک چاپر)، خرابی مدار Gate Drive، یا مونتاژ نامناسب روی هیتسینک است.
روشهای تشخیص خرابی
- با مولتیمتر (حالت تست دیود): بین کلکتور و امیتر هر IGBT اینورتر، اتصال دیود آنتیپارالل با قطبیت مشخص باید دیده شود؛ اتصال کوتاه دوطرفه نشانه خرابی است.
- بررسی دیودهای یکسوساز ورودی: افت ولتاژ فوروارد طبیعی این بخش حدود ۱.۰۵ ولت (طبق دیتاشیت، Tvj=150°C) است.
- بررسی بخش بریک چاپر بهصورت جداگانه.
نکات مهم هنگام تعویض
- مقاومت گیت تستشدهٔ دیتاشیت برای اینورتر ۳۶ اهم و برای بریک چاپر ۷۵ اهم است؛ مدار گیتدرایور باید با این مقادیر هماهنگ باشد.
- این ماژول همخانوادهٔ FP40R12KT3G و FP50R12KT3 است؛ Footprint مشابه دارند اما رتبهٔ جریان متفاوت است جایگزینی نیازمند بررسی نیاز جریان واقعی مدار است.
- سطح تماس تمیز و خمیر حرارتی مناسب الزامی است.
اشتباهات رایج تعمیرکاران
- اعتماد به منابع غیررسمی که این قطعه را اشتباهاً «Six-Pack» معرفی میکنند: این ماژول قطعاً یکسوساز و بریک چاپر یکپارچه دارد؛ تعمیرکار باید سیمکشی واقعی برد را بررسی کند، نه فقط نام محصول از منابع نامعتبر.
- تعویض ماژول بدون بررسی علت اصلی خرابی (Gate Drive یا حفاظت Overcurrent).
- نادیده گرفتن تست بخش یکسوساز و بریک چاپر پس از تعویض.
محدودیتها و نکات مهم استفاده
- اجبار به استفاده از هیتسینک مناسب برای جریان نامی ۲۵ آمپر.
- رعایت Dead-Time بین سوییچهای هر شاخه.
- حساسیت به ESD.
- Baseplate مشترک بین یکسوساز، اینورتر و بریک چاپر در پکیج PIM.
نظرات کاربران
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
Fuji Electric
Semikron
Mitsubishi Electric
Vincotech
Toshiba
Fairchild Semiconductor
Sanken Electric
IXYS
Sanyo
Starpower
LS Electric
