FP25R12KT4_B15 ماژول IGBT اینفینیون 1200 ولت 25 آمپر
امتیازکاربران
کپی لینک
واتساپ
تلگرام
ایتا
بله
FP25R12KT4_B15 ماژول IGBT اینفینیون 1200 ولت 25 آمپر
امتیازکاربران
- تضمین اصالت قطعات
- ارسال سریع
- مشاوره فنی قبل از خرید
ثبت سفارش از طریق پیامرسانها
تماس با فروشگاه
معرفی
ماژول FP25R12KT4_B15 ساخت Infineon Technologies یک ماژول قدرت یکپارچه (PIM) سهفاز در پکیج EconoPIM™2 است که بر پایه تکنولوژی fast Trench/Fieldstop IGBT4 و دیود Emitter Controlled 4 طراحی شده و سنسور دمای NTC داخلی دارد. طبق توضیح رسمی Infineon، این ماژول دارای یکسوساز ورودی یکپارچه (PIM three phase input rectifier) است.
نقطهٔ کلیدی نسخهٔ B15: این نسخه، مانند FP35R12KT4_B15، بهصورت «سازگار مکانیکی با یک ماژول IGBT3» عرضه شده یعنی برای جایگزینی و ارتقای ماژولهای نسل قدیمیتر (مانند FP25R12KT3) با همان Footprint طراحی شده، با بهرهمندی از تکنولوژی جدیدتر IGBT4.
ویژگیهای کلیدی
- ولتاژ: 1200 ولت
- جریان نامی کلکتور: ۲۵ آمپر (در دمای کیس ۱۰۰°C)
- تکنولوژی: fast Trench/Fieldstop IGBT4 با ولتاژ اشباع پایین و ضریب دمایی مثبت
- پیکربندی: PIM با یکسوساز ورودی یکپارچه
- پکیج: EconoPIM™2 (ابعاد ۱۰۷ × ۴۵ میلیمتر)، سازگار مکانیکی با ماژولهای IGBT3 قدیمی
- دارای تأییدیهٔ UL (E83335)
- قابلیت سیکل حرارتی و توان بالا
توضیحات
FP25R12KT4_B15 یک ماژول IGBT از سری EconoPIM™2 ساخت Infineon است که بر پایهٔ تکنولوژی fast Trench/Fieldstop IGBT4 و دیود Emitter Controlled 4 (EC4) ساخته شده. این نسخه (پسوند B15) یک واریانت مکانیکی است که طبق توضیح رسمی Infineon، بهعنوان جایگزین سازگار مکانیکی با یک ماژول IGBT3 (مانند FP25R12KT3) عرضه میشود.
تکنولوژی IGBT4 در این ماژول از ولتاژ اشباع پایین (V_CEsat=۱.۸۵ ولت Typical) با ضریب دمایی مثبت بهره میبرد. این ماژول دارای تأییدیهٔ UL (E83335) است که سیگنال اعتماد قابلتوجهی برای خریدار صنعتی فراهم میکند.
ویژگیها و مزایا
- سازگاری مکانیکی با FP25R12KT3 قدیمی: ارتقا بدون تغییر Footprint برد.
- تکنولوژی fast Trench IGBT4: تلفات سوییچینگ و هدایت کمتر نسبت به IGBT3.
- V_CEsat با ضریب دمایی مثبت: مناسب برای کارکرد موازی.
- قابلیت سیکل حرارتی و توان بالا.
- تأییدیهٔ UL (E83335).
کاربردها
- اینورترهای کمکی صنعتی
- تجهیزات پزشکی
- درایو موتور صنعتی
- سروو درایو
جدول مشخصات فنی
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| Part Number | FP25R12KT4_B15 |
| سازنده | Infineon Technologies |
| نوع قطعه | ماژول قدرت یکپارچه IGBT (PIM) |
| سری | EconoPIM™2 |
| تکنولوژی IGBT | fast Trench/Fieldstop IGBT4 (T4) |
| نوع دیود | Emitter Controlled 4 |
| پیکربندی | یکسوساز ورودی + اینورتر سهفاز + سنسور NTC |
| ولتاژ کلکتور امیتر (V_CES) | 1200 ولت |
| جریان نامی کلکتور (I_C nom / I_C max) | 25 آمپر (Tc=100°C، Tvj max=175°C) |
| ولتاژ اشباع کلکتور امیتر (V_CEsat Typ.) | 1.85 ولت (Tvj=25°C) |
| ولتاژ مستقیم دیود فلایویل (V_F Typ.) | 1.75 ولت (Tvj=25°C) |
| توان اتلافی کل (P_tot) | حدود 160 وات |
| سطح کیفی | Industrial Qualified |
| نوع پکیج | EconoPIM™2 |
| ابعاد ماژول | 107 × 45 میلیمتر |
| ارتفاع ماژول | حدود 10.5 میلیمتر |
| سازگاری مکانیکی | جایگزین سازگار با برخی ماژولهای IGBT3 قدیمی مانند FP25R12KT3 |
| حداکثر دمای ژانکشن (Tvj max) | 175°C |
| دامنه دمای عملکرد سوییچینگ (Tvj op) | تا 150°C |
| گواهی ایمنی | UL Approved (E83335) |
| استاندارد RoHS | مطابق (RoHS Compliant) |
| تکنولوژی اتصال | لحیمی (Solder Contact) — نسخه B11 با PressFIT |
نمای شماتیک
قطعات جایگزین برای این محصول
سوالات متداول
طبق توضیح رسمی Infineon، نسخهٔ B15 یک واریانت مکانیکی است که از نظر Footprint با یک ماژول نسل قدیمی IGBT3 (مانند FP25R12KT3) سازگار است؛ یعنی امکان جایگزینی فیزیکی مستقیم در بردهای طراحیشده برای ماژول قدیمی را فراهم میکند.
احتمالاً بله. با وجود سازگاری مکانیکی، تکنولوژی IGBT4 رفتار سوییچینگ و مقاومت گیت بهینهٔ متفاوتی نسبت به IGBT3 دارد؛ برای عملکرد ایمن و بهینه، تنظیمات گیتدرایور باید بازبینی شود.
تأییدیهٔ UL (E83335) یک گواهی استاندارد ایمنی بینالمللی است که نشان میدهد ماژول الزامات ایمنی برق و حرارتی مشخصی را گذرانده؛ این برای خریدار صنعتی یک سیگنال اعتماد اضافه نسبت به ماژولهای بدون این گواهی است.
نکات تعمیراتی و تجربیات کاربردی
خرابیهای رایج
شایعترین خرابی این ماژول، اتصال کوتاه داخلی کلکتور امیتر در سوییچهای IGBT بخش اینورتر است که معمولاً ناشی از عبور جریان بیش از حد، خرابی مدار Gate Drive، یا مونتاژ نامناسب روی هیتسینک است. از آنجا که این ماژول دارای یکسوساز ورودی یکپارچه است، خرابی بخش رکتیفایر نیز محتمل است.
روشهای تشخیص خرابی
- با مولتیمتر (حالت تست دیود): بین کلکتور و امیتر هر IGBT، اتصال دیود آنتیپارالل با قطبیت مشخص باید دیده شود؛ اتصال کوتاه دوطرفه نشانه خرابی است.
- بررسی دیود هرزگرد (EC4): افت ولتاژ فوروارد طبیعی حدود ۱.۷۵ ولت (طبق دیتاشیت، Tvj=25°C) است.
- بررسی دیودهای یکسوساز ورودی بهصورت جداگانه.
- سنسور NTC: عملکرد سنسور باید پس از هر تعویض با مقدار مرجع مقایسه شود.
نکات مهم هنگام تعویض
- این نسخه (B15) بهطور خاص برای سازگاری مکانیکی با FP25R12KT3 طراحی شده؛ با وجود سازگاری Footprint، مشخصات سوییچینگ IGBT4 با IGBT3 متفاوت است و ممکن است نیاز به بازبینی تنظیمات گیتدرایور باشد.
- بررسی شود تجهیز از نسخهٔ Solder یا PressFIT (B11) استفاده میکند.
- خمیر حرارتی مناسب و سطح تماس تمیز الزامی است.
اشتباهات رایج تعمیرکاران
- فرض اینکه چون Footprint با FP25R12KT3 یکی است، تنظیمات گیتدرایور هم بدون تغییر قابلاستفاده است.
- تعویض ماژول بدون بررسی علت اصلی خرابی (Gate Drive یا حفاظت Overcurrent).
- نادیده گرفتن تست بخش یکسوساز پس از تعویض.
محدودیتها و نکات مهم استفاده
- تفاوت رفتار سوییچینگ با IGBT3 علیرغم سازگاری مکانیکی.
- اجبار به استفاده از هیتسینک مناسب.
- حساسیت به ESD.
جمعبندی
ماژول IGBT اینفینیون FP25R12KT4_B15 یک راه حل بهروز با تکنولوژی IGBT4 است که نقطهٔ تمایز اصلی آن، سازگاری مکانیکی با FP25R12KT3 است. این ویژگی آن را به گزینهٔ ایدهآلی برای تعمیر و مدرنسازی درایوهای صنعتی موجود تبدیل میکند، بدون نیاز به تغییر Footprint برد.
نظرات کاربران
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
Fuji Electric
Semikron
Mitsubishi Electric
Vincotech
Toshiba
Fairchild Semiconductor
Sanken Electric
IXYS
Sanyo
Starpower
LS Electric
