FP10R12W1T4_B3 ماژول IGBT اینفینیون 1200 ولت 10 آمپر
امتیازکاربران
کپی لینک
واتساپ
تلگرام
ایتا
بله
FP10R12W1T4_B3 ماژول IGBT اینفینیون 1200 ولت 10 آمپر
امتیازکاربران
- تضمین اصالت قطعات
- ارسال سریع
- مشاوره فنی قبل از خرید
ثبت سفارش از طریق پیامرسانها
تماس با فروشگاه
معرفی
ماژول FP10R12W1T4_B3 ساخت Infineon Technologies یک ماژول قدرت یکپارچه (PIM) در پکیج فشردهٔ EasyPIM™1B است که بر پایه تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT4 و دیود Emitter Controlled 4 طراحی شده و سنسور دمای NTC داخلی دارد. این ماژول با ولتاژ کار ۱۲۰۰ ولت و جریان نامی ۱۰ آمپر، یکسوساز ورودی سهفاز و اینورتر را در یک بستهٔ یکپارچه ارائه میدهد.
نکتهٔ ساختاری مهم: طبق توضیح رسمی Infineon، این ماژول یکسوساز ورودی دارد اما بریک چاپر ندارد. برای کاربردهایی که نیاز به ترمز دینامیکی دارند، باید مدار بریک چاپر جداگانه طراحی شود.
ویژگیهای کلیدی
- ولتاژ: ۱۲۰۰ ولت
- جریان نامی کلکتور: ۱۰ آمپر
- تکنولوژی: fast TRENCHSTOP™ IGBT4 با ولتاژ اشباع پایین و ضریب دمایی مثبت
- پیکربندی: یکسوساز ورودی سهفاز + اینورتر + NTC (بدون بریک چاپر)
- پکیج فشرده: EasyPIM™1B (ابعاد ۴۸ × ۳۳.۸ میلیمتر)
- زیرلایه: سرامیک Al₂O₃ با مقاومت حرارتی پایین
- گیره نصب یکپارچه و مقاوم
توضیحات
FP10R12W1T4_B3 یک ماژول قدرت یکپارچه (PIM) از سری EasyPIM™1B ساخت Infineon است که بر پایهٔ تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT4 ساخته شده. طبق توضیح رسمی Infineon، این ماژول یکسوساز ورودی سهفاز دارد اما فاقد بریک چاپر است.
طبق توضیح رسمی، برای کاربردهایی که به ۳۰٪ توان بیشتر نیاز دارند، نسخهٔ FP10R12W1T7_B3 با تکنولوژی جدیدتر IGBT7 جایگزین مناسبی است.
ویژگیها و مزایا
- تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT4: تلفات سوییچینگ کم.
- ولتاژ اشباع پایین با ضریب دمایی مثبت.
- طراحی بسیار فشرده در پکیج EasyPIM™1B.
- زیرلایهٔ Al₂O₃ با مقاومت حرارتی پایین.
- گیره نصب یکپارچه و مقاوم.
کاربردها
- درایو موتور توان پایین
- اینورتر کمکی
جدول مشخصات فنی
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| Part Number | FP10R12W1T4_B3 |
| سازنده | Infineon Technologies |
| نوع قطعه | ماژول قدرت یکپارچه IGBT (PIM) |
| سری | EasyPIM™1B |
| تکنولوژی IGBT | fast TRENCHSTOP™ IGBT4 (T4) |
| نوع دیود | Emitter Controlled 4 |
| پیکربندی | یکسوساز ورودی سهفاز + اینورتر + سنسور NTC (بدون بریک چاپر) |
| ولتاژ کلکتور-امیتر (VCES) | 1200 ولت |
| جریان نامی کلکتور (IC nom / IC max) | 10 آمپر |
| ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر VCEsat (Typ.) | 1.85 ولت (Tvj=25°C) |
| ولتاژ مستقیم دیود فلایویل VF (Typ.) | 1.75 ولت (Tvj=25°C) |
| سنسور دما | NTC داخلی |
| سطح کیفی | Industrial qualified |
| نوع پکیج | EasyPIM™1B |
| ابعاد ماژول | 48 × 33.8 میلیمتر |
| زیرلایه | سرامیک Al₂O₃ با مقاومت حرارتی پایین |
| تکنولوژی اتصال | لحیمی (Solder Contact) |
| روش نصب | گیره نصب یکپارچه و مقاوم |
| توان اتلافی کل (Ptot) | |
| مقاومت حرارتی ژانکشن-به-کیس (RthJC) | |
| دامنه دمای کاری | |
| استاندارد RoHS | مطابق (RoHS Compliant) |
نمای شماتیک
قطعات جایگزین برای این محصول
سوالات متداول
طبق توصیهٔ رسمی Infineon، نسخهٔ T7 (با تکنولوژی IGBT7) همان پکیج و کاربرد را دارد اما حدود ۳۰٪ توان بیشتری ارائه میدهد؛ برای پروژههای جدید با نیاز به ظرفیت بالاتر، این گزینه قابل بررسی است.
خیر، نه بهصورت مستقیم. طبق مستندات رسمی Infineon (راهنمای انتخاب گیتدرایور EiceDRIVER)، نسخهٔ پایهٔ FP15R12W1T4 (و واریانت B11) دارای یکسوساز + بریک چاپر + اینورتر است یعنی PIM کامل. این ماژول (FP10R12W1T4_B3) اما طبق پسوند B3، فاقد بریک چاپر است. این دو از نظر ساختار داخلی متفاوتاند و علاوهبر تفاوت رتبهٔ جریان (۱۰ در برابر ۱۵ آمپر)، نباید بدون بررسی نیاز بریک چاپر مدار جایگزین هم شوند.
خیر. طبق توضیح رسمی Infineon، این ماژول یکسوساز ورودی دارد اما فاقد بریک چاپر است. برای کاربردهای نیازمند ترمز دینامیکی یکپارچه، باید مدار خارجی طراحی شود یا ماژول دیگری انتخاب شود.
نکات تعمیراتی و تجربیات کاربردی
خرابیهای رایج
شایعترین خرابی این ماژول، اتصال کوتاه داخلی کلکتور امیتر در سوییچهای اینورتر است که معمولاً ناشی از عبور جریان بیش از حد، خرابی مدار Gate Drive، یا مونتاژ نامناسب روی هیتسینک است. چون این ماژول بریک چاپر ندارد، خرابی در مدار ترمز دینامیکی (اگر وجود داشته باشد) مربوط به بخش خارجی مدار است، نه خود ماژول.
روشهای تشخیص خرابی
- با مولتیمتر (حالت تست دیود): بین کلکتور و امیتر هر IGBT، اتصال دیود آنتیپارالل با قطبیت مشخص باید دیده شود؛ اتصال کوتاه دوطرفه نشانه خرابی است.
- بررسی دیود هرزگرد (EC4): افت ولتاژ فوروارد طبیعی حدود ۱.۷۵ ولت (طبق دیتاشیت، Tvj=25°C) است.
- بررسی دیودهای یکسوساز ورودی بهصورت جداگانه.
- سنسور NTC: عملکرد سنسور باید پس از هر تعویض با مقدار مرجع مقایسه شود.
نکات مهم هنگام تعویض
- توجه ویژه به نبود بریک چاپر؛ اگر تجهیز قدیمی شما نیاز به ترمز دینامیکی یکپارچه داشته، این ماژول جایگزین مناسبی نیست و باید نسخهٔ PIM کامل (با بریک چاپر) انتخاب شود.
- خمیر حرارتی مناسب و سطح تماس تمیز با هیتسینک الزامی است.
- پیش از راهاندازی، ولتاژهای مثبت و منفی گیت مدار Gate Drive بررسی شود.
اشتباهات رایج تعمیرکاران
- فرض اینکه این ماژول بریک چاپر دارد، این ماژول قطعاً بریک چاپر ندارد.
- تعویض ماژول بدون بررسی علت اصلی خرابی (Gate Drive یا حفاظت Overcurrent).
- نادیده گرفتن تست بخش یکسوساز ورودی پس از تعویض.
محدودیتها و نکات مهم استفاده
- فاقد بریک چاپر یکپارچه: ترمز دینامیکی باید خارجی طراحی شود.
- توان بسیار پایین (۱۰ آمپر): مناسب کاربردهای کوچک، نه درایوهای پرتوان.
- اجبار به استفاده از هیتسینک مناسب.
- حساسیت به ESD.
جمعبندی
ماژول IGBT اینفینیون FP10R12W1T4_B3 یک راهحل فشرده با یکسوساز ورودی یکپارچه برای کاربردهای توان بسیار پایین است؛ بدون بریک چاپر یکپارچه.
نظرات کاربران
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
Fuji Electric
Semikron
Mitsubishi Electric
Vincotech
Toshiba
Fairchild Semiconductor
Sanken Electric
IXYS
Sanyo
Starpower
LS Electric
