FP10R12W1T4 ماژول IGBT اینفینیون 1200 ولت 10 آمپر
امتیازکاربران
کپی لینک
واتساپ
تلگرام
ایتا
بله
FP10R12W1T4 ماژول IGBT اینفینیون 1200 ولت 10 آمپر
امتیازکاربران
- تضمین اصالت قطعات
- ارسال سریع
- مشاوره فنی قبل از خرید
ثبت سفارش از طریق پیامرسانها
تماس با فروشگاه
معرفی
ماژول FP10R12W1T4 ساخت Infineon Technologies یک ماژول قدرت یکپارچه (PIM) در پکیج فشردهٔ EasyPIM™1B است که بر پایه تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT4 و دیود Emitter Controlled 4 طراحی شده و سنسور دمای NTC داخلی دارد. این ماژول با ولتاژ کار ۱۲۰۰ ولت و جریان نامی ۱۰ آمپر، یکسوساز ورودی سهفاز را در یک بستهٔ یکپارچه ارائه میدهد.
ویژگیهای کلیدی
- ولتاژ: ۱۲۰۰ ولت
- جریان نامی کلکتور: ۱۰ آمپر
- تکنولوژی: fast TRENCHSTOP™ IGBT4 با ولتاژ اشباع پایین و ضریب دمایی مثبت
- پیکربندی: یکسوساز ورودی سهفاز + اینورتر + NTC (احتمالاً همراه با بریک چاپر یکپارچه برخلاف نسخهٔ B3)
- پکیج فشرده: EasyPIM™1B (ابعاد ۴۸ × ۳۳.۸ میلیمتر)
- زیرلایه: سرامیک Al₂O₃ با مقاومت حرارتی پایین
- محدودیت جریان مؤثر هر پایانه: ۳۰ آمپر RMS
توضیحات
FP10R12W1T4 یک ماژول قدرت یکپارچه (PIM) از سری EasyPIM™1B ساخت Infineon است که بر پایهٔ تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT4 ساخته شده. طبق الگوی نامگذاری Infineon (که در آن نسخههای فاقد بریک چاپر بهصراحت با عبارت «without brake chopper» یا پسوند B3 مشخص میشوند)، این نسخهٔ پایه به احتمال زیاد بریک چاپر یکپارچه دارد.
برای کاربردهایی که به توان بیشتری نیاز دارند، نسخهٔ نسل جدیدتر FP10R12W1T7 با تکنولوژی IGBT7 و ۳۵٪ توان بیشتر در همان پکیج، توسط Infineon توصیه میشود.
ویژگیها و مزایای کلیدی
- تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT4: تلفات سوییچینگ کم.
- ولتاژ اشباع پایین با ضریب دمایی مثبت.
- طراحی بسیار فشرده در پکیج EasyPIM™1B.
- زیرلایهٔ Al₂O₃ با مقاومت حرارتی پایین.
- گیره نصب یکپارچه و مقاوم.
کاربردها
- درایو موتور توان پایین
- اینورتر کمکی
جدول مشخصات فنی
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| Part Number | FP10R12W1T4 |
| سازنده | Infineon Technologies |
| نوع قطعه | ماژول قدرت یکپارچه IGBT (PIM) |
| سری | EasyPIM™1B |
| تکنولوژی IGBT | fast TRENCHSTOP™ IGBT4 (T4) |
| نوع دیود | Emitter Controlled 4 |
| پیکربندی | یکسوساز ورودی سهفاز + اینورتر + سنسور NTC |
| ولتاژ کلکتور امیتر (VCES) | 1200 ولت |
| جریان نامی کلکتور (IC nom / IC max) | 10 آمپر |
| ولتاژ اشباع کلکتور امیتر VCEsat (Typ.) | 1.85 ولت (Tvj=25°C) |
| ولتاژ مستقیم دیود فلایویل VF (Typ.) | 1.75 ولت (Tvj=25°C) |
| سنسور دما | NTC داخلی |
| سطح کیفی | Industrial qualified |
| نوع پکیج | EasyPIM™1B |
| ابعاد ماژول | 48 × 33.8 میلیمتر |
| زیرلایه | سرامیک Al₂O₃ با مقاومت حرارتی پایین |
| تکنولوژی اتصال | لحیمی (Solder Contact) نسخهٔ B11 با PressFIT |
| روش نصب | گیره نصب یکپارچه و مقاوم |
| حداکثر جریان مؤثر هر پایانه | 30 آمپر RMS |
| استاندارد RoHS | مطابق (RoHS Compliant) |
نمای شماتیک
قطعات جایگزین برای این محصول
سوالات متداول
طبق الگوی نامگذاری رسمی Infineon، توضیح این نسخهٔ پایه (برخلاف FP10R12W1T4_B3 که بهصراحت «بدون بریک چاپر» نوشته شده) چنین عبارتی را ندارد؛ این یک سیگنال قوی است که این نسخه بریک چاپر یکپارچه دارد. برای اطمینان کامل، Circuit Diagram دیتاشیت رسمی قابل بررسی است.
هر دو همجریان (۱۰ آمپر) و همپکیج (EasyPIM™1B) هستند، اما FP10R12W1T4_B3 بهصراحت فاقد بریک چاپر است، در حالی که این نسخهٔ پایه احتمالاً آن را دارد. این تفاوت ساختاری برای انتخاب صحیح بسیار مهم است.
طبق توضیح رسمی Infineon، این ارتقا با ۳۵٪ توان بیشتر در همان پکیج EasyPIM™1B ممکن است، اما مشخصات سوییچینگ دقیق باید با دیتاشیت IGBT7 مقایسه و مدار گیتدرایور در صورت نیاز بازبینی شود.
نکات تعمیراتی و تجربیات کاربردی
خرابیهای رایج
شایعترین خرابی این ماژول، اتصال کوتاه داخلی کلکتور امیتر در سوییچهای اینورتر است که معمولاً ناشی از عبور جریان بیش از حد، خرابی مدار Gate Drive، یا مونتاژ نامناسب روی هیتسینک است.
روشهای تشخیص خرابی
- با مولتیمتر (حالت تست دیود): بین کلکتور و امیتر هر IGBT، اتصال دیود آنتیپارالل با قطبیت مشخص باید دیده شود؛ اتصال کوتاه دوطرفه نشانه خرابی است.
- بررسی دیود هرزگرد (EC4): افت ولتاژ فوروارد طبیعی حدود ۱.۷۵ ولت (طبق دیتاشیت، Tvj=25°C) است.
- بررسی دیودهای یکسوساز ورودی بهصورت جداگانه.
- در صورت وجود بریک چاپر در این نسخه، بررسی آن بخش بهصورت جداگانه.
- سنسور NTC: عملکرد سنسور باید پس از هر تعویض با مقدار مرجع مقایسه شود.
نکات مهم هنگام تعویض
- مهمترین نکته: پیش از تعویض با FP10R12W1T4_B3، توجه کنید که آن نسخه بهصراحت بریک چاپر ندارد؛ اگر تجهیز شما به ترمز دینامیکی یکپارچه نیاز دارد، نسخهٔ پایه (همین محصول) گزینهٔ مناسبتری است.
- محدودیت جریان مؤثر هر پایانه (۳۰ آمپر RMS) را در کاربردهای پرجریان لحاظ کنید.
- خمیر حرارتی مناسب و سطح تماس تمیز با هیتسینک الزامی است.
اشتباهات رایج تعمیرکاران
- اشتباه گرفتن این نسخهٔ پایه با FP10R12W1T4_B3 که فاقد بریک چاپر است این دو از نظر ساختار داخلی متفاوتاند علیرغم شباهت نام.
- تعویض ماژول بدون بررسی علت اصلی خرابی (Gate Drive یا حفاظت Overcurrent).
- نادیده گرفتن محدودیت جریان مؤثر هر پایانه.
محدودیتها و نکات مهم استفاده
- توان بسیار پایین (۱۰ آمپر): مناسب کاربردهای کوچک.
- وضعیت Preliminary دیتاشیت: مقادیر ممکن است در رویزیونهای بعدی تغییر کند.
- اجبار به استفاده از هیتسینک مناسب.
- حساسیت به ESD.
جمعبندی
ماژول IGBT اینفینیون FP10R12W1T4 نسخهٔ پایهٔ این خانواده با احتمال وجود بریک چاپر یکپارچه (برخلاف نسخهٔ B3) است. نکتهٔ کلیدی برای تعمیرکار، توجه به این تفاوت ساختاری مهم بین نسخهٔ پایه و نسخهٔ B3 پیش از انتخاب یا تعویض است.
نظرات کاربران
دیدگاهها
پاکسازی فیلترهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.
برای ثبت نقد و بررسی وارد حساب کاربری خود شوید.
Fuji Electric
Semikron
Mitsubishi Electric
Vincotech
Toshiba
Fairchild Semiconductor
Sanken Electric
IXYS
Sanyo
Starpower
LS Electric
