FP40R12KT3G ماژول IGBT اینفینیون 1200 ولت 40 آمپر

دسته:
نظرات کاربران ۰ نظر

امتیازکاربران

وضعیت کالا: ---
گزارش نادرستی مشخصات
گزارش قیمت مناسب‌تر
اشتراک‌گذاری اشتراک‌گذاری

اشتراک‌گذاری این صفحه

کپی لینک کپی لینک
واتساپ واتساپ تلگرام تلگرام ایتا ایتا بله بله
لینک با موفقیت کپی شد!

معرفی

ماژول FP40R12KT3G ساخت Infineon Technologies یک ماژول قدرت یکپارچه (PIM) سه‌فاز در پکیج EconoPIM™3 است که بر پایه تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT3 (نسخهٔ T3) طراحی شده و سنسور دمای NTC داخلی دارد. این ماژول با ولتاژ کار ۱۲۰۰ ولت و جریان نامی ۴۰ آمپر، یکسوساز ورودی سه‌فاز، اینورتر سه‌فاز IGBT، و بریک چاپر (ترمز دینامیکی) را در یک بستهٔ یکپارچه ارائه می‌دهد.

ویژگی‌های کلیدی

  • ولتاژ Collector-Emitter :۱۲۰۰ ولت
  • جریان نامی کلکتور: ۴۰ آمپر (در دمای کیس ۸۰°C) — تا ۵۵ آمپر در دمای کیس ۲۵°C
  • تکنولوژی: fast TRENCHSTOP™ IGBT3 (T3) با تلفات سوییچینگ پایین و فرکانس سوییچینگ بالا
  • پیکربندی کامل PIM: یکسوساز ورودی + اینورتر + بریک چاپر + NTC
  • پکیج: EconoPIM™3، صفحه پایهٔ مسی، اتصال لحیمی
  • توان اتلافی کل: ۲۱۰ وات
  • جریان تحمل اتصال کوتاه: ۱۶۰ آمپر

توضیحات

بررسی تخصصی

FP40R12KT3G یک ماژول قدرت یکپارچه (PIM) از سری EconoPIM™3 ساخت Infineon است که بر پایهٔ تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT3 (T3) ساخته شده. ساختار داخلی شامل یکسوساز ورودی سه‌فاز، اینورتر سه‌فاز کامل IGBT، یک واحد بریک چاپر، و سنسور NTC است.

نسخهٔ T3 این ماژول برای سوییچینگ سریع و فرکانس کاری بالاتر بهینه شده (در برابر نسخهٔ E3 که برای ولتاژ اشباع پایین‌تر بهینه شده است). زمان‌های سوییچینگ کوتاه (t_d(on)=0.09µs، t_f=0.07µs) این ماژول را برای کاربردهای با نیاز به سوییچینگ سریع مناسب می‌کند.

ویژگی‌ها و مزایای کلیدی

  1. تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT3: سوییچینگ سریع و تلفات کم در فرکانس بالا.
  2. پیکربندی PIM کامل: یکسوساز + اینورتر + بریک چاپر + NTC در یک پکیج.
  3. صفحه پایهٔ مسی: پخش حرارت بهینه.
  4. اندوکتانس پراکندهٔ پایین: طراحی پایدار برای سوییچینگ سریع.
  5. قابلیت اطمینان و چگالی توان بالا.

کاربردها

  • درایو موتور صنعتی (VFD)
  • کنترل موتور (Motor Control)
  • اینورترهای صنعتی

جدول مشخصات فنی

مشخصهمقدار
Part NumberFP40R12KT3G
سازندهInfineon Technologies
نوع قطعهماژول قدرت یکپارچه IGBT (PIM)
سریEconoPIM™3
تکنولوژی IGBTfast TRENCHSTOP™ IGBT3 (T3)
پیکربندییکسوساز ورودی سه‌فاز + اینورتر IGBT + بریک چاپر + سنسور NTC
ولتاژ کلکتور-امیتر (V_CES)1200 ولت
جریان نامی کلکتور اینورتر (I_C nom)40 آمپر (در دمای کیس 80°C، Tvj max=150°C)
جریان کلکتور اینورتر (I_C)55 آمپر (در دمای کیس 25°C)
جریان پیک کلکتور اینورتر (I_CRM)80 آمپر (tp=1ms)
توان اتلافی کل اینورتر (P_tot)210 وات (Tc=25°C)
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر V_CEsat (Typ. / Max.)1.80 ولت (Typ., 25°C) / 2.30 ولت (Max.) — I_C=40A، V_GE=15V
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (Typ., 125°C)2.05 ولت
ولتاژ آستانه گیت (V_GEth، Typ.)5.8 ولت
بار گیت (Q_G)0.33 میکروکولن
مقاومت داخلی گیت (R_Gint)6.0 اهم
جریان تحمل اتصال کوتاه اینورتر (I_SC)160 آمپر (V_GE≤15V، V_CC=900V، tp≤10µs، Tvj=125°C)
مقاومت حرارتی ژانکشن-به-کیس IGBT اینورتر (R_thJC)0.60 کلوین بر وات (به‌ازای هر IGBT)
ولتاژ مستقیم دیود فلایویل V_F (Typ.)1.75 ولت (I_F=40A، Tvj=25/125°C)
مقاومت حرارتی دیود فلایویل (R_thJC)0.95 کلوین بر وات (به‌ازای هر دیود)
یکسوساز ورودی (V_RRM)1600 ولت
حداکثر جریان مؤثر یکسوساز هر چیپ (I_FRMSM)50 آمپر (Tc=80°C)
ولتاژ فوروارد دیود یکسوساز (V_F، Typ.)1.20 ولت (Tvj=150°C، I_F=40A)
مقاومت حرارتی یکسوساز (R_thJC)1.00 کلوین بر وات (به‌ازای هر دیود)
جریان نامی بریک چاپر (I_C nom)40 آمپر (Tc=80°C) — مطابق با اینورتر
سنسور دماNTC داخلی (R25 = 5 کیلواهم، B25/50 = 3375K)
نوع پکیجEconoPIM™3
جنس صفحه پایهمس (Cu)
تکنولوژی اتصاللحیمی (Solder Contact)
دمای عملکرد سوییچینگ (Tvj op)40- تا 125 درجه سانتی‌گراد
استاندارد RoHSمطابق (RoHS Compliant)
وضعیت دیتاشیتPreliminary Data (Rev. 2.1، 2013)
منبع دادهدیتاشیت رسمی Infineon، EconoPIM™3
کاربردهادرایو موتور صنعتی، کنترل موتور (Motor Control)، اینورتر

نمای شماتیک

قطعات جایگزین برای این محصول

سوالات متداول

❓ تفاوت این ماژول (T3) با FP40R12KE3G (E3) چیست؟

نسخهٔ T3 (این محصول) برای سوییچینگ سریع‌تر و فرکانس کاری بالاتر بهینه شده، در حالی که E3 برای ولتاژ اشباع پایین‌تر و تلفات هدایت کمتر طراحی شده. انتخاب بین این دو باید بر اساس فرکانس کاری سیستم انجام شود.

❓ چرا مقاومت گیت تست‌ شدهٔ این ماژول ۲۷ اهم است و این برای طراحی گیت‌ درایور چه اهمیتی دارد؟

این مقدار شرط تست رسمی دیتاشیت برای اندازه‌گیری زمان‌های سوییچینگ و تلفات انرژی (E_on/E_off) است. طراح باید مقاومت گیت خارجی واقعی را بر اساس مصالحه بین تلفات سوییچینگ و نرخ dv/dt مجاز سیستم، با مراجعه به نمودارهای دیتاشیت، انتخاب کند؛ این مقدار صرفاً نقطهٔ مرجع است.

❓ آیا این ماژول با FP50R12KT3 از نظر مدار گیت‌ درایور سازگار است؟

هر دو از یک خانواده (EconoPIM™3، تکنولوژی T3) هستند و مقاومت داخلی گیت نزدیکی دارند، اما رتبهٔ جریان متفاوت است (۴۰ در برابر ۵۰ آمپر)؛ طراحی گیت‌درایور باید با جریان نامی واقعی ماژول مورداستفاده تطبیق داده شود.

نقد و بررسی

نکات تعمیراتی و تجربیات کاربردی

خرابی‌های رایج:

  • شایع‌ترین خرابی این ماژول، اتصال کوتاه داخلی کلکتور امیتر در سوییچ‌های IGBT بخش اینورتر یا بریک چاپر است که معمولاً ناشی از عبور جریان فراتر از تحمل اتصال کوتاه (I_SC=160A).
  • خرابی مدار Gate Drive، یا مونتاژ نامناسب روی هیت‌سینک است.
  • از آنجا که این ماژول دارای یکسوساز ورودی یکپارچه است، خرابی بخش رکتیفایر نیز محتمل است.

روش‌های تشخیص خرابی:

  1. با مولتی‌متر (حالت تست دیود): بین کلکتور و امیتر هر IGBT اینورتر، اتصال دیود آنتی‌پارالل با قطبیت مشخص باید دیده شود؛ اتصال کوتاه دوطرفه نشانه خرابی است.
  2. بررسی دیودهای یکسوساز ورودی: افت ولتاژ فوروارد طبیعی این بخش حدود ۱.۲۰ ولت (طبق دیتاشیت، Tvj=150°C) است.
  3. بررسی بخش بریک چاپر به‌صورت جداگانه.
  4. سنسور NTC: مقاومت نامی در ۲۵°C باید نزدیک ۵ کیلواهم باشد.

نکات مهم هنگام تعویض:

  • مقاومت گیت تست‌شدهٔ دیتاشیت ۲۷ اهم است؛ مدار گیت‌درایور باید با این مقدار هماهنگ باشد.
  • این ماژول نسخهٔ T3 (سریع) همین خانواده است؛ نباید با FP40R12KE3G (نسخهٔ نرم E3) به‌اشتباه جایگزین شود مگر بعد از بررسی سازگاری مدار گیت‌درایور.
  • صفحه پایهٔ مسی دارد؛ سطح تماس تمیز و خمیر حرارتی مناسب الزامی است.

اشتباهات رایج تعمیرکاران:

  1. اشتباه‌گرفتن این ماژول (نسخهٔ سریع T3) با FP40R12KE3G (نسخهٔ نرم E3) که مشخصات سوییچینگ متفاوتی دارد.
  2. تعویض ماژول بدون بررسی علت اصلی خرابی (Gate Drive یا حفاظت Overcurrent).
  3. نادیده گرفتن تست بخش یکسوساز و بریک چاپر پس از تعویض.

محدودیت‌ها و نکات مهم استفاده

  1. اجبار به استفاده از هیت‌سینک مناسب برای جریان نامی ۴۰ آمپر.
  2. رعایت Dead-Time بین سوییچ‌های هر شاخه.
  3. وضعیت Preliminary دیتاشیت: مقادیر ممکن است در رویزیون‌های بعدی تغییر کند.
  4. حساسیت به ESD.
  5. Baseplate مشترک بین یکسوساز، اینورتر و بریک چاپر در پکیج PIM.

جمع‌بندی

ماژول IGBT اینفینیون FP40R12KT3G یک راه‌حل کامل و یکپارچه (یکسوساز + اینورتر + بریک چاپر) با تکنولوژی سریع IGBT3-T3 است که برای درایو موتور و کنترل موتور صنعتی مناسب است. این ماژول هم‌خانوادهٔ نزدیک FP50R12KT3 و FP50R12KE3 (موجود در کاتالوگ شما) با جریان نامی پایین‌تر است؛ نکتهٔ کلیدی برای تعمیرکار، تمایز بین این نسخهٔ سریع (T3) و نسخهٔ نرم هم‌جریان (FP40R12KE3G) است.

پرسش کاربران

برای ارسال پرسش باید وارد سایت شوید.

هنوز پرسشی ثبت نشده است.

نظرات کاربران

0 نقد و بررسی
0
0
0
0
0

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “FP40R12KT3G ماژول IGBT اینفینیون 1200 ولت 40 آمپر”

فایل اطلاعات کامل محصول

ویدیو معرفی محصول
گزارش نادرستی مشخصات
گزارش قیمت مناسب‌تر
اشتراک‌گذاری اشتراک‌گذاری

اشتراک‌گذاری این صفحه

کپی لینک کپی لینک
واتساپ واتساپ تلگرام تلگرام ایتا ایتا بله بله
لینک با موفقیت کپی شد!

FP40R12KT3G ماژول IGBT اینفینیون 1200 ولت 40 آمپر

نظرات کاربران ۰ نظر

امتیازکاربران

تاریخ بروزرسانی قیمت ثبت نشده است
وضعیت کالا: ---
۰ تومان
قیمت ویژه با استعلام
ثبت سفارش از طریق پیام‌رسان‌ها

معرفی

ماژول FP40R12KT3G ساخت Infineon Technologies یک ماژول قدرت یکپارچه (PIM) سه‌فاز در پکیج EconoPIM™3 است که بر پایه تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT3 (نسخهٔ T3) طراحی شده و سنسور دمای NTC داخلی دارد. این ماژول با ولتاژ کار ۱۲۰۰ ولت و جریان نامی ۴۰ آمپر، یکسوساز ورودی سه‌فاز، اینورتر سه‌فاز IGBT، و بریک چاپر (ترمز دینامیکی) را در یک بستهٔ یکپارچه ارائه می‌دهد.

ویژگی‌های کلیدی

  • ولتاژ Collector-Emitter :۱۲۰۰ ولت
  • جریان نامی کلکتور: ۴۰ آمپر (در دمای کیس ۸۰°C) — تا ۵۵ آمپر در دمای کیس ۲۵°C
  • تکنولوژی: fast TRENCHSTOP™ IGBT3 (T3) با تلفات سوییچینگ پایین و فرکانس سوییچینگ بالا
  • پیکربندی کامل PIM: یکسوساز ورودی + اینورتر + بریک چاپر + NTC
  • پکیج: EconoPIM™3، صفحه پایهٔ مسی، اتصال لحیمی
  • توان اتلافی کل: ۲۱۰ وات
  • جریان تحمل اتصال کوتاه: ۱۶۰ آمپر

توضیحات

بررسی تخصصی

FP40R12KT3G یک ماژول قدرت یکپارچه (PIM) از سری EconoPIM™3 ساخت Infineon است که بر پایهٔ تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT3 (T3) ساخته شده. ساختار داخلی شامل یکسوساز ورودی سه‌فاز، اینورتر سه‌فاز کامل IGBT، یک واحد بریک چاپر، و سنسور NTC است.

نسخهٔ T3 این ماژول برای سوییچینگ سریع و فرکانس کاری بالاتر بهینه شده (در برابر نسخهٔ E3 که برای ولتاژ اشباع پایین‌تر بهینه شده است). زمان‌های سوییچینگ کوتاه (t_d(on)=0.09µs، t_f=0.07µs) این ماژول را برای کاربردهای با نیاز به سوییچینگ سریع مناسب می‌کند.

ویژگی‌ها و مزایای کلیدی

  1. تکنولوژی fast TRENCHSTOP™ IGBT3: سوییچینگ سریع و تلفات کم در فرکانس بالا.
  2. پیکربندی PIM کامل: یکسوساز + اینورتر + بریک چاپر + NTC در یک پکیج.
  3. صفحه پایهٔ مسی: پخش حرارت بهینه.
  4. اندوکتانس پراکندهٔ پایین: طراحی پایدار برای سوییچینگ سریع.
  5. قابلیت اطمینان و چگالی توان بالا.

کاربردها

  • درایو موتور صنعتی (VFD)
  • کنترل موتور (Motor Control)
  • اینورترهای صنعتی

جدول مشخصات فنی

مشخصهمقدار
Part NumberFP40R12KT3G
سازندهInfineon Technologies
نوع قطعهماژول قدرت یکپارچه IGBT (PIM)
سریEconoPIM™3
تکنولوژی IGBTfast TRENCHSTOP™ IGBT3 (T3)
پیکربندییکسوساز ورودی سه‌فاز + اینورتر IGBT + بریک چاپر + سنسور NTC
ولتاژ کلکتور-امیتر (V_CES)1200 ولت
جریان نامی کلکتور اینورتر (I_C nom)40 آمپر (در دمای کیس 80°C، Tvj max=150°C)
جریان کلکتور اینورتر (I_C)55 آمپر (در دمای کیس 25°C)
جریان پیک کلکتور اینورتر (I_CRM)80 آمپر (tp=1ms)
توان اتلافی کل اینورتر (P_tot)210 وات (Tc=25°C)
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر V_CEsat (Typ. / Max.)1.80 ولت (Typ., 25°C) / 2.30 ولت (Max.) — I_C=40A، V_GE=15V
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (Typ., 125°C)2.05 ولت
ولتاژ آستانه گیت (V_GEth، Typ.)5.8 ولت
بار گیت (Q_G)0.33 میکروکولن
مقاومت داخلی گیت (R_Gint)6.0 اهم
جریان تحمل اتصال کوتاه اینورتر (I_SC)160 آمپر (V_GE≤15V، V_CC=900V، tp≤10µs، Tvj=125°C)
مقاومت حرارتی ژانکشن-به-کیس IGBT اینورتر (R_thJC)0.60 کلوین بر وات (به‌ازای هر IGBT)
ولتاژ مستقیم دیود فلایویل V_F (Typ.)1.75 ولت (I_F=40A، Tvj=25/125°C)
مقاومت حرارتی دیود فلایویل (R_thJC)0.95 کلوین بر وات (به‌ازای هر دیود)
یکسوساز ورودی (V_RRM)1600 ولت
حداکثر جریان مؤثر یکسوساز هر چیپ (I_FRMSM)50 آمپر (Tc=80°C)
ولتاژ فوروارد دیود یکسوساز (V_F، Typ.)1.20 ولت (Tvj=150°C، I_F=40A)
مقاومت حرارتی یکسوساز (R_thJC)1.00 کلوین بر وات (به‌ازای هر دیود)
جریان نامی بریک چاپر (I_C nom)40 آمپر (Tc=80°C) — مطابق با اینورتر
سنسور دماNTC داخلی (R25 = 5 کیلواهم، B25/50 = 3375K)
نوع پکیجEconoPIM™3
جنس صفحه پایهمس (Cu)
تکنولوژی اتصاللحیمی (Solder Contact)
دمای عملکرد سوییچینگ (Tvj op)40- تا 125 درجه سانتی‌گراد
استاندارد RoHSمطابق (RoHS Compliant)
وضعیت دیتاشیتPreliminary Data (Rev. 2.1، 2013)
منبع دادهدیتاشیت رسمی Infineon، EconoPIM™3
کاربردهادرایو موتور صنعتی، کنترل موتور (Motor Control)، اینورتر

نمای شماتیک

قطعات جایگزین برای این محصول

سوالات متداول

❓ تفاوت این ماژول (T3) با FP40R12KE3G (E3) چیست؟

نسخهٔ T3 (این محصول) برای سوییچینگ سریع‌تر و فرکانس کاری بالاتر بهینه شده، در حالی که E3 برای ولتاژ اشباع پایین‌تر و تلفات هدایت کمتر طراحی شده. انتخاب بین این دو باید بر اساس فرکانس کاری سیستم انجام شود.

❓ چرا مقاومت گیت تست‌ شدهٔ این ماژول ۲۷ اهم است و این برای طراحی گیت‌ درایور چه اهمیتی دارد؟

این مقدار شرط تست رسمی دیتاشیت برای اندازه‌گیری زمان‌های سوییچینگ و تلفات انرژی (E_on/E_off) است. طراح باید مقاومت گیت خارجی واقعی را بر اساس مصالحه بین تلفات سوییچینگ و نرخ dv/dt مجاز سیستم، با مراجعه به نمودارهای دیتاشیت، انتخاب کند؛ این مقدار صرفاً نقطهٔ مرجع است.

❓ آیا این ماژول با FP50R12KT3 از نظر مدار گیت‌ درایور سازگار است؟

هر دو از یک خانواده (EconoPIM™3، تکنولوژی T3) هستند و مقاومت داخلی گیت نزدیکی دارند، اما رتبهٔ جریان متفاوت است (۴۰ در برابر ۵۰ آمپر)؛ طراحی گیت‌درایور باید با جریان نامی واقعی ماژول مورداستفاده تطبیق داده شود.

پرسش کاربران

برای ارسال پرسش باید وارد سایت شوید.

هنوز پرسشی ثبت نشده است.

نقد و بررسی

نکات تعمیراتی و تجربیات کاربردی

خرابی‌های رایج:

  • شایع‌ترین خرابی این ماژول، اتصال کوتاه داخلی کلکتور امیتر در سوییچ‌های IGBT بخش اینورتر یا بریک چاپر است که معمولاً ناشی از عبور جریان فراتر از تحمل اتصال کوتاه (I_SC=160A).
  • خرابی مدار Gate Drive، یا مونتاژ نامناسب روی هیت‌سینک است.
  • از آنجا که این ماژول دارای یکسوساز ورودی یکپارچه است، خرابی بخش رکتیفایر نیز محتمل است.

روش‌های تشخیص خرابی:

  1. با مولتی‌متر (حالت تست دیود): بین کلکتور و امیتر هر IGBT اینورتر، اتصال دیود آنتی‌پارالل با قطبیت مشخص باید دیده شود؛ اتصال کوتاه دوطرفه نشانه خرابی است.
  2. بررسی دیودهای یکسوساز ورودی: افت ولتاژ فوروارد طبیعی این بخش حدود ۱.۲۰ ولت (طبق دیتاشیت، Tvj=150°C) است.
  3. بررسی بخش بریک چاپر به‌صورت جداگانه.
  4. سنسور NTC: مقاومت نامی در ۲۵°C باید نزدیک ۵ کیلواهم باشد.

نکات مهم هنگام تعویض:

  • مقاومت گیت تست‌شدهٔ دیتاشیت ۲۷ اهم است؛ مدار گیت‌درایور باید با این مقدار هماهنگ باشد.
  • این ماژول نسخهٔ T3 (سریع) همین خانواده است؛ نباید با FP40R12KE3G (نسخهٔ نرم E3) به‌اشتباه جایگزین شود مگر بعد از بررسی سازگاری مدار گیت‌درایور.
  • صفحه پایهٔ مسی دارد؛ سطح تماس تمیز و خمیر حرارتی مناسب الزامی است.

اشتباهات رایج تعمیرکاران:

  1. اشتباه‌گرفتن این ماژول (نسخهٔ سریع T3) با FP40R12KE3G (نسخهٔ نرم E3) که مشخصات سوییچینگ متفاوتی دارد.
  2. تعویض ماژول بدون بررسی علت اصلی خرابی (Gate Drive یا حفاظت Overcurrent).
  3. نادیده گرفتن تست بخش یکسوساز و بریک چاپر پس از تعویض.

محدودیت‌ها و نکات مهم استفاده

  1. اجبار به استفاده از هیت‌سینک مناسب برای جریان نامی ۴۰ آمپر.
  2. رعایت Dead-Time بین سوییچ‌های هر شاخه.
  3. وضعیت Preliminary دیتاشیت: مقادیر ممکن است در رویزیون‌های بعدی تغییر کند.
  4. حساسیت به ESD.
  5. Baseplate مشترک بین یکسوساز، اینورتر و بریک چاپر در پکیج PIM.

جمع‌بندی

ماژول IGBT اینفینیون FP40R12KT3G یک راه‌حل کامل و یکپارچه (یکسوساز + اینورتر + بریک چاپر) با تکنولوژی سریع IGBT3-T3 است که برای درایو موتور و کنترل موتور صنعتی مناسب است. این ماژول هم‌خانوادهٔ نزدیک FP50R12KT3 و FP50R12KE3 (موجود در کاتالوگ شما) با جریان نامی پایین‌تر است؛ نکتهٔ کلیدی برای تعمیرکار، تمایز بین این نسخهٔ سریع (T3) و نسخهٔ نرم هم‌جریان (FP40R12KE3G) است.

نظرات کاربران

0 نقد و بررسی
0
0
0
0
0

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “FP40R12KT3G ماژول IGBT اینفینیون 1200 ولت 40 آمپر”

فایل اطلاعات کامل این محصول

ویدیو معرفی این محصول